杭州某半导体存储芯片存储芯片治理 设备厂，晶圆治理 方式中导致含硅、氟的特别电镀废水治理 步骤，定制治理 的规模1200吨/日。电镀废水治理 步骤化学物质僵化，带有nm级硅粉末及盐酸，常用治理 步骤根本无法合格。 废水处理方法成份及来源地 最主要的污染破坏物 ：电解质溶液硅（100-500nm比表面积）、氟阴阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 源工艺程序 ：晶圆刻蚀废渣（45%）、CMP化学工业物理打磨抛光废渣（40%）、的设备冲刷水（15%） 除理鑫霖环保方案 不断创新选择"催化放置+特别膜分离法"系统的路线： 钙盐乳浊液 ：加药氯化钙消除氟化合物（制成CaF2结晶） 斜板沉淀池不良反应 ：挽回斜管沉淀池剂保证胶体溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm粒径膜虚报冒领微细粒子 反构建平台 ：脱盐率>98%，环保再生资源回再回收率75% 化掉结晶体 ：浓水段实现了氟化物零尾气排放标准 进而感觉 氟化物溶液浓度：<8mg/L（少于部委特级的标准10mg/L） 硅水平：<5mg/L 水环境资源工业废水处理率：70%适用于冷却后塔补湿 垃圾减药：汽化残留物量较传统化鑫霖环保少60%